Excited states of excitons in monolayers of transition metal dichalcogenides in reflectance spectra up to room temperature

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The ground and excited states of A- and B-excitons in monolayers of MoSe2 and WSe2 were studied by optical reflectance spectroscopy in a wide range of temperatures up to room temperature. It has been shown that excited states are observed in the spectrum even at room temperature. Depending on the selected parameters of the heterostructure, the B-exciton line may be comparable in intensity to the A-exciton line.

Негізгі сөздер

Авторлар туралы

A. Brichkin

Osipyan Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

Email: brich@issp.ac.ru
Chernogolovka, Russia

G. Golyshkov

Osipyan Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

Chernogolovka, Russia

A. Chernenko

Osipyan Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

Chernogolovka, Russia

V. Bisti

Osipyan Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

Chernogolovka, Russia

Әдебиет тізімі

  1. Durnev M.V., Glazov M.M. // Phys. Usp. 2018. V. 61. No. 9. P. 825.
  2. Glazov M.M. // J. Chem. Phys. 2020. Art. No. 153034703.
  3. Wang G., Chernikov A., Glazov M.M. et al. // Rev. Mod. Phys. 2018. V. 90. Art. No. 021001.
  4. Zhao W., Ghorannevis Z., Chu L. et al. // ACS Nano. 2013. V. 7. P. 791.
  5. Chernikov A., Berkelbach T.C., Hill H.M. et al. // Phys. Rev. Lett. 2014. V. 113. Art. No. 076802.
  6. Chernikov A., van der Zande A.M., Hill H.M. et al. // Phys. Rev. Lett. 2015. V. 115. Art. No. 126802.
  7. Goryca M., Li J., Stier A.V. et al. // Nature Commun. 2019. V. 10. P. 4172.
  8. Brichkin A.S., Golyshkov G.M., Chernenko A.V. // JETP. 2023. V. 136. No. 6. P. 760.
  9. Черненко А.В., Бричкин А.С. // Изв. РАН. Сер. физ. 2021. Т. 85. № 2. С. 245;
  10. Chernenko A.V., Brichkin A.S., Golyshkov G.M., Shevchun A.F. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 2. P. 161.
  11. Robert C., Semina M.A., Cadiz F. et al. // Phys. Rev. Mater. 2018. V. 2. Art. No. 011001.
  12. Gerber I.C., Courtade E., Shree S. et al. // Phys. Rev. B. 2019. V. 99. Art. No. 035443.
  13. Голышков Г.М., Бричкин А.С., Черненко А.В. // Физ. и техн. полупровод. 2024. Т. 58. № 5. С. 233.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).