Two-dimensional graphene superlattice conductivity control by transverse electric fields

S. Yu. Glazov; Глазов С. Ю.; N. E. Mescheryakova; Мещерякова Н. Е.; I. A. Podgornaya; Подгорная И. А.

doi:10.31857/S0367676522700065

Управление проводимостью двумерной графеновой сверхрешетки поперечными электрическими полями

Авторы: Глазов С.Ю.¹^,2, Мещерякова Н.Е.², Подгорная И.А.¹^,2
Учреждения:
1. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Волгоградский государственный социально-педагогический университет”
2. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Волгоградский государственный медицинский университет” Министерства здравоохранения Российской Федерации
Выпуск: Том 87, № 1 (2023)
Страницы: 34-37
Раздел: Статьи
URL: https://medbiosci.ru/0367-6765/article/view/135243
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676522700065
EDN: https://elibrary.ru/JINJLB
ID: 135243

Цитировать

Полный текст

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Исследована возможность управления проводимостью графеновой сверхрешетки поперечными постоянными и переменными электрическими полями, обусловленная неаддитивностью ее энергетического спектра. Предложена методика определения диапазонов параметров приложенных полей, при которых управление проводимостью наиболее эффективно.

Об авторах

С. Ю. Глазов

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“Волгоградский государственный социально-педагогический университет”; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“Волгоградский государственный медицинский университет” Министерства здравоохранения
Российской Федерации

Автор, ответственный за переписку.
Email: ser-glazov@yandex.ru
Россия, Волгоград; Россия, Волгоград

Н. Е. Мещерякова

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“Волгоградский государственный медицинский университет” Министерства здравоохранения
Российской Федерации

Email: ser-glazov@yandex.ru
Россия, Волгоград

И. А. Подгорная

Email: ser-glazov@yandex.ru
Россия, Волгоград; Россия, Волгоград

Список литературы

Завьялов Д.В., Конченков В.И., Крючков С.В. // ФТТ. 2009. Т. 51. № 10. С. 2033; Zav’yalov D.V., Konchenkov V.I., Kryuchkov S.V. // Phys. Solid State. 2009. V. 51. P. 2157.
Завьялов Д.В., Конченков В.И., Крючков С.В. // ФТП. 2012. Т. 46. № 1. С. 113; Zav’yalov D.V., Konchenkov V.I., Kryuchkov S.V. // Semiconductors. 2012. V. 46. P. 109.
Крючков С.В., Кухарь Е.И. // ФТП. 2016. Т. 50. № 2. С. 218; Kryuchkov S.V., Kukhar’ E.I // Semiconductors. 2016. V. 50. P. 217.
Глазов С.Ю. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 1. С. 19; Glazov S.Yu. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No. 1. P. 12.
Крючков С.В., Кухарь Е.И., Яковенко В.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2010. Т. 74. № 12. С. 1759; Kryuchkov S.V., Kukhar’ E.I., Yakovenko V.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2010. V. 74. No. 12. P. 1679.
Крючков С.В., Кухарь Е.И. // ФТП. 2012. Т. 46. № 5. С. 684; Kryuchkov S.V., Kukhar’ E.I. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 5. P. 666.
Кухарь Е.И., Крючков, С.В., Ионкина Е.С. // Изв. РАН. Сер. физ. 2017. Т. 81. № 12. С. 218; Kukhar E.I., Kryuchkov S.V., Ionkina E.S. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2017. V. 81. No. 1. P. 47.
Forsythe C., Zhou X., Watanabe K. et al. // Nature Nanotechnol. 2018. V. 13. P. 566.
Zhang Y., Kim Y., Gilbert M.J. et al. // NPJ 2D Mat. Appl. 2018. V. 2. P. 31.
Kryuchkov S.V., Popov C.A. // J. Nano-Electron. Phys. 2017. V. 9. No. 2. P. 02013.
Kryuchkov S.V., Popov C.A. // Proc. 2017 IEEE 7th Int. Conf. Nanomat. Appl. Prop. (Odessa, 2017). Art. No. 03CBN09.
Бадикова П.В., Глазов С.Ю., Сыродоев Г.А. // ФТП. 2019. Т. 53. № 7. С. 927; Badikova P.V., Glazov S.Yu., Syrodoev G.A. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 7. P. 911.
Глазов С.Ю., Сыродоев Г.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 1. С. 128; Glazov S.Yu., Syrodoev G.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 1. P. 98.
Бадикова П.В., Глазов С.Ю., Сыродоев Г.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 1. С. 38; Badikova P.V., Glazov S.Yu., Syrodoev G.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 1. P. 30.
Басс Ф.Г., Булгаков А.А., Тетервов А.П. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками. М.: Наука, 1989.