Перспективы развития электроннолучевой ионнолучевой литографии в России

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Рассмотрены вопросы создания отечественных резистов для процессов электроннолучевой и ионнолучевой литографии. Изготовленные позитивные резисты на основе полиметилметакрилата позволяют создавать наноразмерные структуры. Более того, продемонстрирована возможность применения комбинации созданных резистов в качестве двухслойных резистов. Также продемонстрированы перспективы развития отечественных процессов электроннолучевой и ионнолучевой литографии. В настоящий момент собственные отечественные технологические процессы электроннолучевой и ионнолучевой литографии находятся в стадии демонстраторов. В ближайшей перспективе будут разработаны отечественные установки электроннолучевой и ионнолучевой литографии. Для организации производства отечественных установок ионнолучевой литографии потребуется существенно больше времени.

Об авторах

С. И. Зайцев

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

Д. В. Иржак

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

А. И. Ильин

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

М. A. Князев

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

Д. В. Рощупкин

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

В. П. Грачев

ФИЦ проблем химической физики и медицинской химии РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

В. Г. Курбатов

ФИЦ проблем химической физики и медицинской химии РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

Г. В. Малков

ФИЦ проблем химической физики и медицинской химии РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

Список литературы

  1. Buitraqgo E., Kulmala T.S., Fallica R., Ekinci Y. EUV lithography process challenge, in book Frontiers of Nanoscience, 2016. vol. 11, pp. 135–176. https://doi.org/10.1016/B978-0-08-100354-1.00004-1
  2. Fu N., Liu Y., Ma X., Chen Z. EUV Lithography: State-of-the-Art Review, J. Microelectron. Manuf. 2019. vol. 2, p. 19020202. https://doi.org/10.33079/jomm.19020202
  3. Grigorescu A.E., Hagen C.W. Resists for sub-20-nm electron beam lithography with a focus on HSQ: state of the art, Nanotechnology, 2009. vol. 20. pp. 292001. https://doi.org/10.1088/0957-4484/20/29/292001
  4. Winston D., Cord B.M., Ming B., Bell D.C. et al. Scanning-helium-ion-beam lithography with hydrogen silsesquioxane resist, J. Vac. Sci. Technol. 2009. B27, pp. 2702–2706.
  5. Shabelnikova Ya.L., Zaitsev S.I. Ion-beam lithography: modelling and analytical description of the deposited in resist energy, Technical Physics, 2022, Vol. 67, pp. 919–92303.
  6. Joshi-Imre A., Bauerdick S. Direct-Write Ion Beam Lithograph, Journal of Nanotechnology, 2014, Article ID170415. https://doi.org/10.1155/2014/170415
  7. Jung Y., Cheng X. Dual-layer thermal nanoimprint lithography without dry etching, J. Micromech. Microeng. 2012, vol. 22, pp. 085011.
  8. Lan H., Ding Y., Liu H., Lu B. Development of a step micro-imprint lithography tool, J. Micromech. Microeng. 2007. vol. 17, pp. 2039–2048.
  9. Sakharov S., Roshchupkin D., Emelin E., Irzhak D., Buzanov O., Zabelin A. X-ray diffraction investigation of high-temperature SAW sensor based on LGS crystal, Procedia Engineering, 2011, vol. 25, pp. 1020–1023.
  10. Grigoriev M., Fakhrtdinov R., Irzhak D. et al. Two-dimensional X-ray focusing by off-axis grazing incidence phase Fresnel zone plate on the laboratory X-ray source, Optics Communications, 2017. vol. 385, pp. 15–18.
  11. Irzhak D.V., Knyasev M.A., Punegov V.I. and Roshchupkin D.V. X-ray diffraction by phase diffraction gratings, J. Appl. Cryst. 2015. vol. 48, pp. 1159–1164.
  12. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии, Москва: Мир, 1985, 494 с.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».