Ферромагнетизм при комнатной температуре кристаллического полупроводникового соединения Hg 1 –    x  Fe  x  Se с предельно низким содержанием примесных атомов железа ( x  ≤ 0.06 ат. %)

Говоркова Т. Е.; Окулов В. И.; Памятных Е. А.; Гавико В. С.; Суриков В. Т.

Room temperature ferromagnetism of a crystalline semiconductor compound Hg_{1 – x}Fe_xSe at extremely low concentration of impurity iron atoms (x ≤ 0.06 at %) - PDF (俄语)

Согласие на обработку персональных данных

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).

TOP

用户名
密码
记住我

忘记您的密码?	注册

用户名
密码
记住我

忘记您的密码?	注册

卷 89, 编号 10 (2025)

卷 89, 编号 10 (2025)

Room temperature ferromagnetism of a crystalline semiconductor compound Hg1 – xFexSe at extremely low concentration of impurity iron atoms (x ≤ 0.06 at %) - PDF (俄语)

Room temperature ferromagnetism of a crystalline semiconductor compound Hg_{1 – x}Fe_xSe at extremely low concentration of impurity iron atoms (x ≤ 0.06 at %) - PDF (俄语)