The energy position of size quantization levels in multiple HgCdTe quantum wells

N. N. Mikhailov; Михайлов Н. Н.; V. G. Remesnik; Ремесник В. Г.; V. Ya. Aleshkin; Алешкин В. Я.; S. A. Dvoretsky; Дворецкий С. А.; I. N. Uzhakov; Ужаков И. Н.; V. A. Shvets; Швец В. А.

doi:10.31857/S0367676523701491

Энергетическое положение уровней размерного квантования в структурах с множественными HgCdTe квантовыми ямами

Авторы: Михайлов Н.Н.¹, Ремесник В.Г.¹, Алешкин В.Я.², Дворецкий С.А.¹, Ужаков И.Н.¹, Швец В.А.¹^,3
Учреждения:
1. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”
2. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт физики микроструктур Российской академии наук”
3. Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Новосибирский национальный исследовательский государственный университет”
Выпуск: Том 87, № 6 (2023)
Страницы: 861-866
Раздел: Статьи
URL: https://medbiosci.ru/0367-6765/article/view/135410
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523701491
EDN: https://elibrary.ru/VMIDPK
ID: 135410

Цитировать

Полный текст

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Изучена энергетическая структура уровней размерного квантования в гетероструктуре с множественными квантовыми ямами Hg_0.3Cd_0.7Te/HgTe, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке (013)GaAs. Получены экспериментальные и расчетные значения энергетического положения трех уровней размерного квантования.

Об авторах

Н. Н. Михайлов

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”

Автор, ответственный за переписку.
Email: mikhailov@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск

В. Г. Ремесник

Email: mikhailov@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск

В. Я. Алешкин

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт физики микроструктур Российской академии наук”

Email: mikhailov@isp.nsc.ru
Россия, Нижний Новгород

С. А. Дворецкий

Email: mikhailov@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск

И. Н. Ужаков

Email: mikhailov@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск

В. А. Швец

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Новосибирский национальный исследовательский государственный университет”

Email: mikhailov@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск; Россия, Новосибирск

Список литературы

Lei W., Antoszewski J., Faraone L. // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. Art. No. 041303.
Bhan R.K., Dhar V. // Opto-Electron. Rev. 2019. V. 27. No. 2. P. 174.
Rogalski A. // Rep. Prog. Phys. 2005. V. 68. No. 10. P. 2267.
Capper P., Garland J. Mercury cadmium telluride. Growth, properties and applications. Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 2011. P. 556.
Erdem Arkun F., Edwall D.D., Ellsworth J. et al. // J. Electron. Mater. 2017. V. 46. No. 9. P. 5374.
Reddy M., Peterson J.M., Vang T. et al. // J. Electron. Mater. 2011. V. 40. No. 8. P. 1706.
Ziegler J., Wenisch J., Breiter R. et al. // J. Electron. Mater. 2014. V. 43. No. 8. P. 2935.
Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. и др. // Автометрия. Т. 56. № 5. С. 12; Varavin V.S., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N. et al. // Optoelectron. Instrum. Data Process. 2020. V. 56. No. 5. P. 456.
Schulman J.N., McGill T.C. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. No. 10. P. 663.
Aleshkin V.Y., Dubinov A.A., Morozov S.V. et al. // Opt. Mater. Express. 2018. V. 8. No. 5. P. 1349.
Ryzhii M., Otsuji T., Ryzhii V. et al. // Opto-Electron. Rev. 2019. V. 27. No. 2. P. 219.
Zhou Y.D., Becker C.R., Selamet Y. et al. // J. Electron. Mater. 2003. V. 32. No. 7. P. 608.
Grein C.H., Jung H., Singh R. et al. // J. Electron. Mater. 2005. V. 34. No. 6. P. 905.
Becker C.R., Latussek V., Pfeuffer-Jeschke A. et al. // Phys. Rev. B. V. 62. No. 15. Art. No. 10353.
Михайлов Н.Н., Швец В.А., Дворецкий С.А. и др. // Автометрия. 2003. Т. 39. № 2. С. 71.
Mikhailov N.N., Smirnov R.N., Dvoretsky S.A. et al. // Int. J. Nanotechnol. 2006. V. 3. No. 1. P. 120.
Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. и др. // Опт. журн. 2000. Т. 67. № 1. С. 39; Sidorov Yu.G., Dvoretski S.A., Mikhailov N.N. et al. // J. Opt. Technol. 2000. V. 67. No. 1. P. 31.
Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. № 9. С. 1092; Sidorov Yu.G., Dvoretskii S.A., Varavin V.S. et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. No. 9. P. 1045.
Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Швец В.А. // Автометрия. 2011. Т. 47. № 5. С. 5; Spesivtsev E.V., Rykhlitskii S.V., Shvets V.A. // Optoelectron. Instrument. Proс. 2011. V. 47. No. 5. P. 419.
Ржанов А.В., Свиташев К.К., Мардежов А.С., Швец В.А. // ДАН. 1987. Т. 297. № 3. С. 604.
Dvoretsky S., Mikhailov N., Sidorov Yu. et al. // J. Electron. Mater. V. 39. No. 7. P. 918.
Швец В.А., Михайлов Н.Н., Икусов Д.Г. и др. // Опт. и спектроск. 2019. Т. 127. № 8. С. 318; Shvets V.A., Mikhailov N.N., Ikusov D.G. et al. // Opt. Spectrosс. 2019. V. 127. No. 2. P. 340.
Швец В.А. // Опт. и спектроск. 2009. Т. 107. № 5. С. 822; Shvets V.A. // Opt. Spectrosс. 2009. V. 107. P. 780.
Швец В.А., Азаров И.А., Спесивцев Е.В. и др. // ПТЭ. 2016. № 6. С. 87; Shvets V.A., Azarov I.A., Spesivtsev E.V. et al. // Instrum. Exp. Tech. 2016. V. 59. No. 6. P. 857.
Zholudev M., Teppe F., Orlita M. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 86. Art. No. 205420.
Pfeuffer-Jeschke A. PhD thesis. Germany: Universität Würzburg. Physikalisches Institut. 2000.
Minkov G.M., Aleshkin V.Ya., Rut O.E. et al. // Phys. Rev. B. 2017. V. 96. Art. No. 035310.
Novik E.G., Pfeuffer-Jeschke A., Jungwirth T. et al. // Phys. Rev. B. 2005. V. 72. Art. No. 035321.
Takita K., Onabe K., Tanaka S. // Phys. Stat. Sol. B. 1979. V. 92. P. 297.
Иконников А.В., Бовкун Л.С., Румянцев В.В. и др. // ФТП. 2017. Т. 51. № 12. С. 1588; Ikonnikov A.V., Bovkun L.S., Rumyantsev V.V. et al. // Semiconductors. 2017. V. 51. No. 12. P. 1531.