Luminescence of MoSe2: effect of temperature and pumping value

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

The luminescence of excitons and trions in a MoSe monolayer encapsulated with hBN was studied under non-resonant photoexcitation of electron-hole pairs depending on the temperature and pumping intensity. The shift of luminescence lines and the redistribution of intensities can be explained by the influence of both the Fermi gas of free electrons and localized states of electrons caused by the presence of impurities in boron nitride hBN.

作者简介

V. Bisti

Osipyan Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

Email: bisti@issp.ac.ru
Chernogolovka, Russia

A. Brichkin

Osipyan Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

Chernogolovka, Russia

G. Golyshkov

Osipyan Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

Chernogolovka, Russia

A. Chernenko

Osipyan Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

Chernogolovka, Russia

参考

  1. Wang G., Chernikov A., Glazov M.M. et al. // Rev. Mod. Phys. 2018. V. 90. Art. No. 021001.
  2. Durnev M.V., Glazov M.M. // Phys. Usp. 2018. V. 61. No. 9. P. 825.
  3. Glazov M.M. // J. Chem. Phys. 2020. Art. No. 153034703.
  4. Gillen R., Robertson J., Maultzsch J. // Phys. Stat. Sol. B. 2014. V. 251. P. 2620.
  5. Vokhmintsev A.S., Weinstein I.A. // J. Luminescence. 2021. V. 230. Art. No. 117623.
  6. Wang Z., Chiu Y.-H., Honz K. et al. // Nano Lett. 2018. V. 18. No. 1. P. 137.
  7. Efimkin D.K., MacDonald A.H. // Phys. Rev. B. 2017. V. 95. Art. No. 035417.
  8. Semina M.A., Suris R.A. // Phys. Usp. 2022. V. 65. No 2. P. 111.
  9. Fey C., Schmelcher P., Imamoglu A., Schmidt R. // Phys. Rev. B. 2020. V. 101. Art. No. 195417.
  10. Wagner K., Wietek E., Ziegler J.D. et al. // Phys. Rev. Lett. 2020. V. 125. Art. No. 267401.
  11. O’Donnell K.P., Chen X. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. No. 25. P. 2924.
  12. Ross J.S., Wu S., Yu H. et al. // Nature Commun. 2013. V. 4. Art. No. 1474.
  13. Голышков Г.М, Бричкин А.С., Черненко А.В. // Физ. и техн. полупровод. 2024. Т. 58. № 5. С. 233.
  14. Chernenko A.V., Brichkin A.S., Golyshkov G.M. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2024. V. 88. No. 2. P. 209.
  15. Volkov O.V., Zhitomirski V.E., Kukushkin I. V. et al. // JETP Lett. 1997. V. 66. No. 11. P. 730.
  16. Volkov O.V., Kukushkin I.V., von Klitzing K., Eberl K. // JETP Lett. 1998. V. 68. No 3. P. 236.
  17. Zipfel J., Wagner K., Semina M.A. et al. // Phys. Rev. B. 2022. V. 105. Art. No. 075311.
  18. Onodera M., Isayama M., Taniguchi T. et al. // Carbon. 2020. V. 167. P. 785.
  19. Maity A., Grenadier S.J., Li J. et al. // Progr. Quantum Electron. 2021. V. 76. Art. No. 100302.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).