Исследование метода двойной литографии с использованием антиспейсера

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

В настоящей работе рассматривается метод двойной литографии с использованием антиспейсера, позволяющий сформировать структуры критических слоёв с суб-193i-литографическими размерами, выходящими за пределы одиночной экстремальной ультрафиолетовой литографии. Исследован комплекс ключевых параметров, влияющий на производительность процесса, и представлен способ оптимизации литографического процесса.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Е. Д. Тихонова

АО “НИИМЭ”

Автор, ответственный за переписку.
Email: etikhonova@niime.ru
Россия, Москва

Е. С. Горнев

АО “НИИМЭ”

Email: egornev@niime.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Красников Г.Я. Возможности микроэлектронных технологий с топологическими размерами менее 5 нм // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5–1(102). С. 13–19.
  2. Ann B. Kelleher Evolution of advanced lithography and patterning in the system technology co-optimization era of Moore’s law // Proc. SPIE PC12953, Optical and EUV Nanolithography XXXVII, PC1295302 (10 April 2024).
  3. Mansfield E., Barnes B., Kline R., Vladar A., Obeng Y., Davydov A. International roadmap for devices and systems 2023 edition metrology, International Roadmap for Devices and Systems (IRDS), [online], https://tsapps.nist.gov/publication/get_pdf.cfm?pub_id=956664, https://irds.ieee.org/editions/2023 (Accessed November 12, 2024);
  4. J.G. Santaclara, Rudy Peeters, Rob van Ballegoij, Sjoerd Lok, Jan van Schoot, Paul Graeupner, Peter Kuerz, Joerg Mallmann, Greet Storms, Peter Vanoppen. The next step in Moore’s law: high-NA EUV introduction at the customer // Proc. SPIE12953, Optical and EUV Nanolithography XXXVII, 129530P (10 April 2024).
  5. Крошилин И.С. Подходы к созданию литографа для российских предприятий в условиях импортозамещения / И.С. Крошилин, С.В. Крошилин // Информационный обмен в междисциплинарных исследованиях III. Взгляд начинающих ученых: Специальный сборник трудов Всероссийской научно-практической конференции с международным участием, Липецк, 15 ноября 2023 года. – Липецк: Липецкий государственный педагогический университет имени П.П. Семенова-Тян-Шанского, 2023. – С. 8–12.
  6. Гущин О.П. Некоторые аспекты самосовмещенного паттернирования в иммерсионной литографии / Г.Я. Красников, О.П. Гущин, М.В. Литаврин, Е.С. Горнев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. – 2018. – № 1(169). – С. 42–53.
  7. Тихонова Е.Д. Исследование процессного окна Fin-слоя в процессе самосовмещенного двойного паттернирования / Е. Д. Тихонова, Е. С. Горнев // Наноиндустрия. – 2024. – Т. 17, № S10–1(128). – С. 205–207.
  8. Тихонова Е.Д. Использование материала spin-on-carbon для улучшения метода самосовмещенного двойного паттернирования / Е. Д. Тихонова, Е. С. Горнев // Наноиндустрия. – 2020. – Т. 13. – № S5–3(102). – С. 859–861.
  9. Pattent US: US2014/0054756A1, 27.02.2014. Antispacer process and semiconductor structure generated by the antispacer process // Pattent US: US2014/0054756A1, 27.02.2014./ Michael Hyatt, Richard Housley, Anton de Villiers.
  10. Michael Hyatt, Karen Huang, Anton DeVilliers, Mark Slezak, Zhi Liu Anti-spacer double patterning // Proc. SPIE9051, Advances in Patterning Materials and Processes XXXI, 905118 (27 March 2014).
  11. Hassaan M., Saleem U., Singh A., Haque A.J., Wang K. Recent Advances in Positive Photoresists: Mechanisms and Fabrication. Materials 2024, 17, 2552.
  12. Литаврин М.В. Экстракция эмпирических констант экспонирования и постэкспозиционной сушки для фоторезистов с химическим усилением / М. В. Литаврин, А. А. Шарапов, А. В. Шишлянников, Е. С. Горнев // Наноиндустрия. – 2024. – Т. 17, № S10–2(128). – С. 710–718.
  13. Michael Murphy, Jacob Dobson, Jodi Grzeskowiak, David Power, Charlotte A. Cutler, Andrew Weloth, David Conklin Breaching high-NA EUV dimensions with 193i anti-spacer multipatterning // Proc. SPIE12957, Advances in Patterning Materials and Processes XLI, 1295711 (10 April 2024).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Дорожная карта развития литографического техпроцесса в зависимости от критических шагов: металлизации и затвора [3]

Скачать (548KB)
3. Рис. 2. Сравнение нормализированной цены операции литографии за пластину в зависимости от технологической нормы [4]

Скачать (412KB)
4. Рис. 3. Технологические маршруты методов: самосовмещённой двойной литографии (СДЛ) с использованием спейсера (слева) и двойной литографии (ДЛ) с использованием антиспейсера (справа) [7, 9]

Скачать (631KB)
5. Рис. 4. Ключевые параметры для улучшения и оптимизации этапов процесса ДЛ с антиспейсером

Скачать (293KB)

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».