ПРЕЦИЗИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ АЛЮМИНИЕВЫХ ПРОВОДНИКОВ В ТЕХНОЛОГИИ КОММУТИРУЮЩИХ УСТРОЙСТВ МИКРОСИСТЕМНОЙ ТЕХНИКИ

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлена экспериментально полученная прецизионная технология формирования управляемого профиля алюминиевых токопроводящих дорожек с заданным сопротивлением. Технология основана на анизотропном плазмохимическом травлении алюминия в газовой смеси BCl3–Cl2 с последующей прецизионной подгонкой сопротивления дорожек “сухим” плазмохимическим методом. Показано, что для обеспечения наиболее качественного плазмохимического травления алюминия с минимальным подтравом под фоторезистивную маску, с минимальным наклоном профиля алюминиевой токопроводящей дорожки и отсутствием дефектности рисунка травления и стравленных областей необходимо использовать многостадийный итерационный технологический процесс с технологическими операциями подготовки поверхности до травления и операциями удаления полимера и фоторезиста после травления.

Об авторах

П. И. Дидык

ООО “Научно-производственное предприятие “УВН

Автор, ответственный за переписку.
Email: Felix_engine@mail.ru
Москва, Россия

А. А. Жуков

ФГБОУ “Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)”

Email: zhukovаа@mai.ru
Москва, Россия

Список литературы

  1. Nakazawa A.M., Verdonck P. Plasma etching of aluminium using BCl3–Cl2 mixtures. LSI-PEE-EPUSP, Av. Prof. Luciano Gualberto trav 3, 158, 05508–900 São Paulo, SP.
  2. Hess D.W. Plasma etching of aluminium. Solid State Technology, vol. 34, № 4, pp. 189–194, 1981.
  3. Riley P.E. Plasma etching of aluminium metallizations for ultralarge scale integrated circuits. Journal of the Electrochemical Society, vol. 140, pp. 1518–1522, 1993.
  4. Lutze J.W., Perera A.H., Krusius J.P. Anisotropic reactive ion etching of aluminium using Cl2, BCl3 and CH4 gases. Journal of the Electrochemical Society, vol. 137, № 1, pp. 249–252, 1990.
  5. Lehmann H.W., Widmer R. Reactive sputter etching of Al in BCl3. Microelectronic Engineering, № 1, pp. 3–27, 1983.
  6. Hess D.W., and Bruce R.H. in “Dry Etching for Micro- electronics”, R. A. Powell, Editor, pp. 1–38, North-Hol- land Physics Publishing, Amsterdam, 1984.
  7. Danner D.A., Dalvie M., and Hess D.W. J. Electrochem. Soc. 134, 669 (1987).
  8. Hess D.W. Plasma Etch Chemistry of Al and Al Alloy Films. Plasma Chemistry and Plasma Processing 1982, 2 (2), 141–155.
  9. Donnelly V.M., Kornblit A. Plasma etching: Yesterday, today, and tomorrow. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 2013, 31 (5).
  10. Bruce R.H., Malafsky G.P. High Rate Anisotropic Aluminum Etching Journal of Vacuum Science & Technology 1983, 130 (6), 1369–1373.
  11. Frank W.E. Approaches for patterning of aluminum. Microelectronic Engineering 1997, 33, 85–100.
  12. Yamanaka M. Dry Etching Method for Aluminum Alloy Etching Gas Therefor. 5,837,616, 1998.
  13. Pivovarenok S.A., Dunayev A.V., Efremov A.M., Svettsov V.I. Dry etching of aluminum in chlorine. Chemistry and Chemical Technology, 2008, vol. 51, issue 11, p. 17–21.
  14. Levinstein H.J., and Wang D.N. US patent 4,256,534 (17 Mar. 1981).
  15. Shuichi Saito, Kazuyuki Sugita and Junichi Tonotani. Effect of CHF3 Addition on Reactive Ion Etching of Aluminum Using Inductively Coupled Plasma. Japanese Journal of Applied Physics, Volume 44, Number 5R, 2005. https://doi.org/10.1143/JJAP.44.2971
  16. Pavel Ionov. Hydrocarbon gases for anisotropic etching of metal-containing layers. US Patent 6,010,966 (Aug 7, 1998).
  17. Czuprynski P., Joubert O., Vallier L., Puttock M., and Heitzmann M. J. Vac. Sci. Technol. B16, 147 (1998). https://doi.org/10.1116/1.589770
  18. Уваров И.В., Марухин Н.В., Шлепаков П.С., Лукичев В.Ф. Расчет рабочих характеристик МЭМС-переключателя с увеличенным отношением емкостей. Микроэлектроника, 2020, том 49, № 4, с. 271–280.
  19. Tsai Z-Y., Shih P-J., Tsai Y-Ch., Dai Ch-L. Manufacturing and Testing of Radio Frequency MEMS Switches Using the Complementary Metal Oxide Semiconductor Process. Sensors 2021, 21, 1396. P. 1–12. https://doi.org/10.3390/s21041396
  20. Garnier P., Vessa T., Larrea A.S., Pernet B., Gomez Y., Barge D., Torres A., Travel B., Hederson C., and Levy D. ECS Transactions, 11 (2), p. 257–264, 2007.
  21. Tiwari C. et. al. Characterization of the Descum Process for Various Silicon Substrates. Abstract #2123, 224th ECS Meeting, 2013 The Electrochemical Societ.
  22. Angela Makie Nakazawa, Patrick Verdonck. Plasma Etching of Aluminium Using BCl3–Cl2 Mixtures. LSI-PEE-EPUSP, Av. Prof. Luciano Gualberto trav 3, 158, 05508–900 São Paulo, SP.
  23. Юник А.Д., Шидловский А.Г. Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом. Доклады БГУИР. 2022;20(7):12–19. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-7-12-19

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».