Study of the photoinduced degradation of tandem photovoltaic converters based on a-Si:H/μc-Si:H


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The photoinduced degradation of photovoltaic converters based on an a-Si:H/µc-Si:H tandem structure under a standard illuminance of 1000 W/m2 is studied. The spectral and current–voltage characteristics of specially fabricated samples with various degrees of crystallinity of the intrinsic layer in the lower (microcrystalline) cascade are measured in the course of the tests.

Об авторах

A. Abramov

Ioffe Physical–Technical Institute; RD Center forThin-Film Technologies in Energetics under the Ioffe Institute, Ioffe Physical–Technical Institute

Email: titovoz@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194068

D. Andronikov

Ioffe Physical–Technical Institute; RD Center forThin-Film Technologies in Energetics under the Ioffe Institute, Ioffe Physical–Technical Institute

Email: titovoz@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194068

K. Emtsev

Ioffe Physical–Technical Institute; RD Center forThin-Film Technologies in Energetics under the Ioffe Institute, Ioffe Physical–Technical Institute

Email: titovoz@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194068

A. Kukin

Ioffe Physical–Technical Institute; RD Center forThin-Film Technologies in Energetics under the Ioffe Institute, Ioffe Physical–Technical Institute

Email: titovoz@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194068

A. Semenov

Ioffe Physical–Technical Institute; RD Center forThin-Film Technologies in Energetics under the Ioffe Institute, Ioffe Physical–Technical Institute

Email: titovoz@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194068

E. Terukova

Ioffe Physical–Technical Institute; RD Center forThin-Film Technologies in Energetics under the Ioffe Institute, Ioffe Physical–Technical Institute

Email: titovoz@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194068

A. Titov

Ioffe Physical–Technical Institute; RD Center forThin-Film Technologies in Energetics under the Ioffe Institute, Ioffe Physical–Technical Institute

Автор, ответственный за переписку.
Email: titovoz@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194068

S. Yakovlev

Ioffe Physical–Technical Institute; RD Center forThin-Film Technologies in Energetics under the Ioffe Institute, Ioffe Physical–Technical Institute

Email: titovoz@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194068

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).