XIX Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 10–14, 2015
| Выпуск | Название | Файл | |
| Том 50, № 1 (2016) | Effect of the dopant concentration on the luminescence properties of InGaAs/GaAs spin light-emitting diodes with a mn δ layer |
![]() (Eng) |
|
| Rykov A., Dorokhin M., Malysheva E., Demina P., Vikhrova O., Zdoroveishev A. | |||
| 1 - 1 из 1 результатов | |||
