Поиск

Выпуск
Название
Авторы
GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography
Rodin S., Lundin W., Tsatsulnikov A., Sakharov A., Usov S., Mitrofanov M., Levitskii I., Evtikhiev V., Kaliteevski M.
Forming the GaN Nanocrystals on the Graphene-Like g-AlN and g-Si3N3 Surface
Kozhukhov A., Aleksandrov I., Rzheutski N., Lebiadok E., Razumets E., Zhuravlev K., Milakhin D., Malin T., Mansurov V., Galitsyn Y.
Growing Bulk Aluminum Nitride and Gallium Nitride Crystals by the Sublimation Sandwich Method
Mokhov E., Wol’fson A., Kazarova O.
Method for Controlling the Polarity of Gallium Nitride Layers in Epitaxial Synthesis of GaN/AlN Heterostructures on Hybrid SiC/Si Substrates
Mizerov A., Kukushkin S., Sharofidinov S., Osipov A., Timoshnev S., Shubina K., Berezovskaya T., Mokhov D., Buravlev A.
1 - 4 из 4 результатов
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).