Анализ эффективности каскадного кодирования для повышения выносливости многоуровневой NAND флеш-памяти

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Повышение плотности записи в современных чипах NAND флеш-памяти, достигаемое как за счет уменьшающегося физического размера ячейки, так и благодаря возрастающему количеству используемых состояний ячейки, сопровождается снижением надежности хранения данных – вероятности ошибки, выносливости (числа циклов перезаписи) и времени хранения. Стандартным решением, позволяющим повысить надежность хранения данных в многоуровневой флеш-памяти, является введение помехоустойчивого кодирования. Эффективность введения помехоустойчивого кодирования в существенной степени определяется адекватностью модели, формализующей основные процессы, связанные с записью и чтением данных. В работе приводится описание основных искажений, сопровождающих процесс записи/считывания в NAND флеш-памяти, и явный вид плотностей распределения результирующего шума. В качестве аппроксимации полученных плотностей распределения результирующего шума рассматривается модель на основе композиции гауссова распределения и распределения Лапласа, достаточно адекватно отражающая плотности распределения результирующего шума при большом числе циклов перезаписи. Для этой модели проводится анализ помехоустойчивости каскадных кодовых конструкций с внешним кодом Рида-Соломона и внутренним многоуровневым кодом, состоящим из двоичных компонентных кодов. Выполненный анализ позволяет получить обменные соотношения между вероятностью ошибки, плотностью записи и числом циклов перезаписи. Полученные обменные соотношения показывают, что предложенные конструкции позволяют за счет очень незначительного снижения плотности записи обеспечить увеличение граничного значения числа циклов перезаписи (определяемого производителем) в 2–2.5 раза при сохранении требуемого значения вероятности ошибки на бит.

Об авторах

А. Н Трофимов

Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения (СПбГУАП)

Email: andrei.trofimov@vu.spb.ru
улица Большая Морская 67

Ф. А Таубин

Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения (СПбГУАП)

Email: ftaubin@yahoo.com
улица Большая Морская 67

Список литературы

  1. Advances in Non-Volatile Memory and Storage Technology. Second Edition / Eds.: Magyari-Köpe B., Nishi Y. // Amsterdam.: Woodhead Publishing. 2019. 662 p.
  2. Gao B. Emerging Non-Volatile Memories for Computation-in-Memory // 25th Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC). 2020. pp. 381–384. doi: 10.1109/ASP-DAC47756.2020.9045394.
  3. Ishimaru K. Future of Non-Volatile Memory — From Storage to Computing // IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2019. pp. 1.3.1–1.3.6. doi: 10.1109/IEDM19573.2019.8993609.
  4. Ishimaru K. Non-Volatile Memory Technology for Data Age // 14th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT). 2018. pp. 1–4. doi: 10.1109/ICSICT.2018.8564815.
  5. Gerardin S., Paccagnella A. Present and future non-volatile memories for space // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2010. vol. 57. no. 6. pp. 3016–3039. doi: 10.1109/TNS.2010.2084101.
  6. Nonvolatile Memory Technologies with Emphasis on Flash: A Comprehensive Guide to Understanding and Using Flash Memory Devices / Eds.: Brewer J., Jill M. // Wiley–IEEE Press. 2008. 792 p.
  7. Kang J., Huang P., Han R., Xiang Y., Cui X., Liu X. Flash-based Computing in-Memory Scheme for IOT // Proceedings of the 2019 IEEE 13th International Conference on ASIC (ASICON). 2019. pp. 1–4. doi: 10.1109/ASICON47005.2019.8983502.
  8. Bennett S., Sullivan J. NAND Flash Memory and Its Place in IoT // Proceedings of the 2021 32nd Irish Signals and Systems Conference (ISSC). 2021. pp. 1–6. doi: 10.1109/ISSC52156.2021.9467859.
  9. Aritome S. NAND Flash Memory Technologies // Hoboken.: Wiley. 2016. 432 p.
  10. Ohshima S.J. Empowering Next-Generation Applications through FLASH Innovation // Proceedings of the 2020 IEEE Symposium on VLSI Technology 2020. pp. 1–4. doi: 10.1109/VLSITechnology18217.2020.9265031.
  11. Janukowicz J. How New QLC SSDs Will Change the Storage Landscape. IDC White Paper. 2018. Available at: https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/white-paper/how_new_qlc_ssds_will_change_the_storage_landscape.pdf?la=en (accessed: 13.10.2022).
  12. Goda A. Recent Progress on 3D NAND Flash Technologies // Electronics. 2021. vol. 10. no. 24. pp. 3156. doi: 10.3390/electronics10243156.
  13. Luo Y., Ghose S., Cai Y., Haratsch E., Mutlu O. Enabling Accurate and Practical Online Flash Channel Modeling for Modern MLC NAND Flash Memory // IEEE Journal on Selected Areas in Communications. 2016. vol. 34. no. 9. pp. 2294–2311. doi: 10.1109/JSAC.2016.2603608.
  14. Liu W. et al., Modeling of Threshold Voltage Distribution in 3D NAND Flash Memory // 2021 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE). 2021. pp. 1729–1732. doi: 10.23919/DATE51398.2021.9473974.
  15. Grupp L., Davis J., Swanson S. The bleak future of NAND flash memory // Proceedings of the 10th USENIX Conference on File and Storage Technologies (FAST’12). 2012. pp. 2.
  16. Mielke N. et al. Bit error rate in NAND flash memories // Proceedings of IEEE International Reliability Physics Symposium. 2008. pp. 9–19.
  17. Liu J., Hsu C., Wang I., Hou T. Categorization of multilevel-cell storage-class memory: an RRAM example // IEEE Transactions on Electron Devices. 2015. vol. 62. no. 8. pp. 2510–2516. doi: 10.1109/TED.2015.2444663.
  18. Solid-State Drive (SSD) Requirements and Endurance Test Method (JESD218) // JEDEC Solid State Technology Association. 2010.
  19. Yoon J., Tressler G. Advanced Flash Technology Status, Scaling Trends & Implications to Enterprise SSD Technology Enablement // Flash Memory Summit. 2012.
  20. Maislos A. A New Era in Embedded Flash Memory // Flash Memory Summit. 2011.
  21. Fan B., Qin M., Siegel P. Enhancing the Expected Lifetime of NAND Flash by Short q-Ary WOM Codes // IEEE Communications Letters. 2018. vol. 22. no. 7. pp. 1302–1305. doi: 10.1109/LCOMM.2017.2776200.
  22. Chee Y., Kiah H., Vardy A., Yaakobi E. Explicit and Efficient WOM Codes of Finite Length. // IEEE Transactions on Information Theory. 2020. vol. 66. no. 5. pp. 2669–2682. doi: 10.1109/TIT.2019.2946483.
  23. Yaakobi E., Yucovich A., Maor G., Yadgar G. When do WOM codes improve the erasure factor in flash memories? IEEE International Symposium on Information Theory (ISIT). 2015. pp. 2091–2095. doi: 10.1109/ISIT.2015.7282824.
  24. Jiang A., Li Y., Gad E., Langberg M., Bruck J. Joint rewriting and error correction in write-once memories // IEEE International Symposium on Information Theory (ISIT). 2013. pp. 1067–1071. doi: 10.1109/ISIT.2013.6620390.
  25. Solomon A., Cassuto Y. Error-Correcting WOM Codes: Concatenation and Joint Design // IEEE Transactions on Information Theory. 2019. vol. 65. no. 9. pp. 5529–5546. doi: 10.1109/TIT.2019.2917519.
  26. Micheloni R., Marelli A., Ravasio R. Error Correction Codes for Non-Volatile Memories // Springer Science & Business Media. 2008. 338 p.
  27. Li S., Zhang T. Improving multi-level NAND flash memory storage reliability using concatenated BCH- TCM coding // IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems. 2010. vol. 18. no. 10. pp. 1412–1420. doi: 10.1109/TVLSI.2009.2024154.
  28. Dong G., Xie N., Zhang T. On the Use of Soft-Decision Error-Correction Codes in NAND Flash Memory // IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers. 2011. vol. 58. no. 2. pp. 429–439. doi: 10.1109/TCSI.2010.2071990.
  29. Dolecek L., Cassuto Y. Channel coding for nonvolatile memory technologies: Theoretical advances and practical considerations // Proceedings of the IEEE. 2017. vol. 105. no. 9. pp. 1705–1724. doi: 10.1109/JPROC.2017.2694613.
  30. Таубин Ф.А., Трофимов А.Н. Каскадное кодирование на основе многомерных решеток и кодов Рида-Соломона для многоуровневой флеш-памяти // Труды СПИИРАН. 2018. Вып. 2(57). С. 75–103. doi: 10.15622/sp.57.4.
  31. Таубин Ф.А., Трофимов А.Н. Каскадное кодирование для многоуровневой флеш-памяти с исправлением ошибок малой кратности во внешней ступени // Труды СПИИРАН. 2019. Вып. 18(5). С. 1149–1181. doi: 10.15622/sp.2019.18.5.1149-1181.
  32. IEEE Std 1890-2018 // IEEE Standard for Error Correction Coding of Flash Memory Using Low-Density Parity Check Codes. 2019. pp. 1–51.
  33. Таубин Ф.А., Трофимов А.Н. Каскадное кодирование с внутренним двухуровневым tail-biting/parity check кодом для многоуровневой flash памяти // XXIII международная научная конференция Волновая электроника и инфокоммуникационные системы: Сб. научн. тр. конференции. 2020. С. 354-361.
  34. Трофимов А.Н., Таубин Ф.А. Анализ каскадного кодирования для многоуровневой флеш-памяти с использованием смешанной Normal-Laplace модели // XXV международная научная конференция Волновая электроника и инфокоммуникационные системы: Сб. научн. тр. конференции. 2022. С. 109–113.
  35. Cai Y., Ghose S., Haratsch E., Luo Y., Mutlu O. Error characterization, mitigation, and recovery in Flash Memory-Based solid-state drives // Proceedings of IEEE. 2017. vol. 105. no. 9. pp. 1666–1704. doi: 10.1109/JPROC.2017.2713127.
  36. Dong G., Pan Y., Xie N., Varanasi C., Zhang T. Estimating information-theoretical NAND flash memory storage capacity and its implication to memory system design space exploration // IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems. 2012. vol. 20. no. 9. pp. 1705–1714. doi: 10.1109/TVLSI.2011.2160747.
  37. Park S., Moon J. Characterization of Inter-Cell Interference in 3D NAND Flash Memory // IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers. 2021. vol. 68. no. 3. pp. 1183–1192. doi: 10.1109/TCSI.2020.3047484.
  38. Moon J., No J., Lee S., Kim S., Choi S., Song Y. Statistical Characterization of Noise and Interference in NAND Flash Memory // IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers. 2013. vol. 60. no. 8. pp. 2153–2164. doi: 10.1109/TCSI.2013.2239116.
  39. Wang X., Dong G., Pan L., Zhou R. Error Correction Codes and Signal Processing in Flash Memory. / Ed.: Igor Stievano // IntechOpen. 2011. pp. 57–82. Available at: www.intechopen.com/books/flash-memories/error-correction-codes-and-signal processing-in-flash-memory (accessed 13.10.2022).
  40. Wang K., Du G., Lun Z., Liu X. Investigation of Retention Noise for 3-D TLC NAND Flash Memory // IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2019. vol. 7. pp. 150–157. doi: 10.1109/JEDS.2018.2886359.
  41. Luo Y. et al. Improving 3D NAND Flash Memory Lifetime by Tolerating Early Retention Loss and Process Variation // Proceedings of the ACM on Measurement and Analysis of Computing Systems. 2018. vol. 2. no. 3. pp 1–48. doi: 10.1145/3224432.
  42. Liu W. et al. Characterization Summary of Performance, Reliability, and Threshold Voltage Distribution of 3D Charge-Trap NAND Flash Memory // ACM Transactions on Storage. 2022. vol. 18. no. 2. pp 1–25. doi: 10.1145/3491230.
  43. Cai Y., Haratsch E., Mutlu O., Mai K. Threshold voltage distribution in MLC NAND flash memory: Characterization, analysis, and modeling // Proceedings of Design, Automation and Test in Europe Conference. 2013. pp. 1285–1290. doi: 10.7873/DATE.2013.266.
  44. Li Q., Jiang A., Haratsch E. Noise modeling and capacity analysis for NAND flash memories // Proceedings of IEEE International Symposium on Information Theory. 2014. pp. 2262–2266. doi: 10.1109/ISIT.2014.6875236.
  45. Ashrafi R., Arslan S., Pusane A. On the distribution of the threshold voltage in multi-level cell flash memories // Physical Communication. 2019. vol. 36. no. 1–2. pp. 1–21. doi: 10.1016/j.phycom.2019.100747.
  46. Parnell T., Papandreou N., Mittelholzer T., Pozidis H. Modelling of the Threshold Voltage Distributions of Sub-20nm NAND Flash Memory // IEEE Global Communications Conference. 2014. pp. 2351–2356. doi: 10.1109/GLOCOM.2014.7037159.
  47. Xu Q., Gong P., Chen T.M. Concatenated LDPC-TCM coding for reliable storage in multi-level flash memories // Proceedings of the 9th International Symposium on Communication System, Networks & Digital Signal Processing (CSNDSP’ 2014). 2014. pp. 166–170.
  48. Kurkoski B.M. Coded modulation using lattices and Reed-Solomon codes, with applications to flash memories // IEEE Transactions on Selected Areas in Communications. 2014. vol. 32. no. 5. pp. 900–908. doi: 10.1109/JSAC.2014.140510.
  49. Кларк Дж., Кейн Дж. Кодирование с исправлением ошибок в системах цифровой связи / Под ред. Б.С. Цыбакова // М.: Радио и связь. 1987. 392 с.
  50. Трофимов А.Н., Таубин Ф.А. Вычисление аддитивной границы вероятности ошибки декодирования с использованием характеристических функций // Информационно-управляющие системы. 2021. № 4. С. 71–85. doi: 10.31799/1684-8853-2021-4-71-85.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).