Lista de artigos

Edição Título Arquivo
Volume 53, Nº 6 (2024) III-nitride HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier: Fabrication and Experimental Application
Gusev A., Sultanov A., Ryzhuk R., Nevolina T., Tsunvaza D., Safaraliev G., Kargin N.
Volume 53, Nº 3 (2024) Carrier Scattering Analysis in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier PDF
(Rus)
Gusev A., Sultanov A., Katkov A., Ryndya S., Siglovaya N., Klochkov A., Ryzhuk R., Kargin N., Borisenko D.
Volume 53, Nº 1 (2024) Analysis of Nonlinear Distortions of Dphemt Structures Based on a GaAs/InGaAs Compound with Double-Sided Delta-Doping PDF
(Rus)
Golikov O., Kodochigov N., Obolensky S., Puzanov A., Tarasova E., Khazanova S.
Volume 54, Nº 4 (2025) Hardware implementation of an asynchronous analog neural network with training based on unified cmos ip blocks
Petrov M., Ryndin E., Andreeva N.
Volume 53, Nº 4 (2024) Approximation of the Absorption Spectrum of Indium Phosphide in the Context of Simulation of the Process of Sensitivity Enhancement PDF
(Rus)
Makarenko P., Zolnikov V., Zarevich A., Zalenskaya N., Poluektov A.
Volume 53, Nº 6 (2024) Tunnel Breakdown Bipolar Transistor
Rekhviashvili S., Gaev D.
Volume 52, Nº 6 (2023) OPTICALLY PUMPED BIPOLAR TRANSISTOR PDF
(Rus)
Altudov Y., Gaev D., Pskhu A., Rekhviashvili S.
Volume 52, Nº 3 (2023) Fast Electrochemical Micropump for Portable Drug Delivery Module PDF
(Rus)
Uvarov I., Shlepakov P., Abramychev A., Svetovoy V.
Volume 54, Nº 4 (2025) Effect of rapid thermal annealing on the formation of aluminum-silicon and aluminum-polysilicon ohmic contacts in integrated microcircuits
Zhyhulin D., Pilipenko V., Shestovski D.
Volume 52, Nº 4 (2023) Influence of Boundary Conditions on Quantum Magnetotransport in a Thin Film PDF
(Rus)
Kuznetsova I., Savenko O., Romanov D.
Volume 52, Nº 5 (2023) Influence of Hot Carrier Degradation on the Characteristics of a High-Voltage SOI Transistor with a Large Drift Region PDF
(Rus)
Novoselov A., Masalskii N.
Volume 53, Nº 6 (2024) Influence of Manufacture Imperfections and Electrical Noise on Evolution of a Charge Qubit under Optical Control
Tsukanov A., Kateev I.
Volume 53, Nº 3 (2024) Influence of Hydrogen Additive on Electrophysical Parameters and Emission Spectra of Tetrafluoromethane Plasma PDF
(Rus)
Murin D., Grazhdyan A., Chesnokov I., Gogulev I.
Volume 53, Nº 3 (2024) The Effect оf Laser Radiation оn Functional Properties of MOS Structures PDF
(Rus)
Rekhviashvili S., Gaev D.
Volume 52, Nº 5 (2023) Effect of the Material of Electrodes on Electroformation and Properties of Memristors Based on Open Metal–SiO2–Metal Sandwich Structures PDF
(Rus)
Mordvintsev V., Kudryavtsev S., Naumov V., Gorlachev E.
Volume 52, Nº 4 (2023) Effect of Magnetron Sputtering Power on ITO Film Deposition at Room Temperature PDF
(Rus)
Saenko A., Vakulov Z., Klimin V., Bilyk G., Malyukov S.
Volume 53, Nº 2 (2024) Influence of nickel impurities on the operational parameters of a silicon solar cell PDF
(Rus)
Kenzhaev Z., Zikrillaev N., Odzhaev V., Ismailov K., Prosolovich V., Zikrillaev K., Koveshnikov S.
Volume 52, Nº 4 (2023) Influence of Structural Defects on the Electrophysical Parameters of pin-Photodiodes PDF
(Rus)
Koval’chuk N., Lastovskii S., Odzhaev V., Petlitskii A., Prosolovich V., Shestovsky D., Yavid V., Yankovskii Y.
Volume 54, Nº 2 (2025) Effect of boundary roughness on the variability of the I-V data of silicon field-effect GAA nanotransistors
Masalsky N.
Volume 52, Nº 6 (2023) ВНИМАНИЮ АВТОРОВ PDF
(Rus)
Volume 53, Nº 2 (2024) Temporary changes in current flow mechanisms in erbium-doped porous silicon PDF
(Rus)
Khamzin E., Uslin D.
Volume 54, Nº 2 (2025) Regularities of X-ray transfer in doped multicomponent semiconductors for dosimetry
Asadov S., Mustafaeva S., Lukichev V.
Volume 52, Nº 5 (2023) Patterns of the Formation of Mobile Localized Magnetic Configurations and Technology for Manufacturing Structures for the Implementation of Magnetic Memory Elements PDF
(Rus)
Prokaznikov A., Paporkov V., Chirikov V., Evseeva N.
Volume 52, Nº 3 (2023) Recording the Polarization State of a Photon in the Correlated Electronic States of an Array of Quantum Dots PDF
(Rus)
Tsukanov A., Kateev I.
Volume 52, Nº 5 (2023) Protective Freely Hanging Films for Projection Lithography Installations in the Extreme UV Range PDF
(Rus)
Zuev S., Lopatin A., Luchin V., Salashchenko N., Tsybin N., Chkhalo N.
Volume 52, Nº 6 (2023) PROBE AND SPECTRAL DIAGNOSTICS OF PLASMA GAS ENVIRONMENT: BCl3-Cl2 PDF
(Rus)
Murin D., Chesnokov I., Gogulev I., Grishkov A.
Volume 54, Nº 2 (2025) Measuring adhesion energy between MEMS structures using an adhered cantilever
Uvarov I., Morozov O., Postnikov A., Svetovoy V.
Volume 52, Nº 2 (2023) SEM Measurements of the Dimensions of Relief Structures in the Technological Process of Manufacturing Microcircuits PDF
(Rus)
Novikov Y., Filippov M.
Volume 52, Nº 1 (2023) Искусственный интеллект никогда не заменит полностью человека PDF
(Rus)
.
Volume 52, Nº 2 (2023) Investigation of the Possibility of Optimizing the Interaction of NV Centers and Photons by Changing the Shape of Microresonators PDF
(Rus)
Tsukanov A., Kateev I.
Volume 53, Nº 1 (2024) Research of Memristor Effect in Crossbar Architecture for Neuromorphic Artificial Intelligence Systems PDF
(Rus)
Polyakova V., Saenko A., Kots I., Kovalev A.
Volume 54, Nº 1 (2025) Investigation of double patterning method with the usage of antispacer
Tikhonova E., Gornev E.
Volume 52, Nº 2 (2023) Investigation of the Optical Properties of Ultrathin Films Based on Metal Silicide PDF
(Rus)
Kerimov E.
Volume 53, Nº 6 (2024) Conductivity Study of Carbon Nanotubes Deposited on Iridium Silicon-Silicide Substrate
Kerimov E.
Volume 54, Nº 1 (2025) Study of deposition modes of Cu2O films by RF magnetron sputtering for application in solar cell structures
Saenko A., Zheits V., Vakulov Z., Smirnov V.
Volume 52, Nº 4 (2023) Study of the Sensor Properties of Ordered ZnO Nanorod Arrays for the Detection of UV Radiation PDF
(Rus)
Evstafieva M., Knyazev M., Korepanov V., Red’kin A., Roschupkin D., Yakimov E.
Volume 53, Nº 5 (2024) Investigation of ways to synthesize concurrent error-detection circuits based on boolean signals correction using uniform separable codes
Efanov D., Yelina E.
Volume 52, Nº 1 (2023) Study of Photodetectors with Schottky Barriers Based on the IrSi–Si Contact PDF
(Rus)
Kerimov E.
Volume 53, Nº 4 (2024) Study of the Photovoltaic Parameters of Inorganic Solar Cells Based on Cu2O and CuO PDF
(Rus)
Saenko A., Bilyk G., Smirnov V.
Volume 52, Nº 4 (2023) Study of the Sensitive Region of a MOS Transistor to the Effects of Secondary Particles Arising from Ionizing Radiation PDF
(Rus)
Glushko A., Morozov S., Chistyakov M.
Volume 53, Nº 5 (2024) Electron cyclotron resonance plasma studies using the second cyclotron harmonic resonance
Kovalchuk А., Shapoval S.
Volume 53, Nº 4 (2024) CNOT Quantum Gate Based on Spatial Photonic Qubits Under Resonant Electro-Optical Control PDF
(Rus)
Tsukanov A., Kateev I.
Volume 54, Nº 1 (2025) Influence of boundary conditions on transport in a quantum well
Romanov D., Kuznetsova I.
Volume 54, Nº 1 (2025) Exposure kinetics of a positive photoresist layer on an optically matched substrate
Kudrya V.
Volume 53, Nº 3 (2024) Kinetics of electromigration mass transfer in micro- and nanoelectronics interface elements depending on the strength of thin-film junctions PDF
(Rus)
Makhviladze T., Sarychev M.
Volume 53, Nº 3 (2024) A comprehensive study of nonuniformity properties of the LiCoO2 thin-film cathode fabricated by RF sputtering PDF
(Rus)
Kurbatov S., Rudy A., Naumov V., Mironenko A., Savenko O., Smirnova M., Mazaletsky L., Pukhov D.
Volume 52, Nº 5 (2023) A Computer Investigation of the Effect of High-Resistance Layer Inhomogeneities on Resistive Switching in a Bismuth Selenide Microcrystal Structure PDF
(Rus)
Sirotkin V.
Volume 52, Nº 1 (2023) Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур PDF
(Rus)
., .
Volume 52, Nº 1 (2023) Controlling Silicon Etching Parameters in RF CHF3 Plasma by Optical Emission Spectroscopy PDF
(Rus)
Murin D., Chesnokov I., Pivovarenok S., Efremov A.
Volume 52, Nº 4 (2023) Concentration of Fluorine Atoms and Kinetics of Reactive-Ion Etching of Silicon in CF4 + O2, CHF3 + O2, and C4F8 + O2 Mixtures PDF
(Rus)
Efremov A., Bobylev A., Kwon K.
Volume 53, Nº 6 (2024) A Brief Overview of the Typology of Neurons and Analysis of Using Memristor Crossbars
Tokarev A., Khorin I.
Volume 53, Nº 5 (2024) Mathematical modeling of a microprocessor liquid cooling system
Andreev А., Semenov A.
Volume 53, Nº 1 (2024) Interconnects Materials for Integrated Circuit Technology Below 5 Nm Node PDF
(Rus)
Rogozhin A., Glaz O.
Volume 54, Nº 3 (2025) Method for automated calculation of grains and voids in metal films and TSV-structures
Dyuzhev N., Gusev E., Ivanin P., Zolnikov V., Fomichev M.
Volume 53, Nº 4 (2024) Methodology of Production of Photo-Sensitive Elements on Ptsi Basis PDF
(Rus)
Kerimov E.
Volume 52, Nº 4 (2023) Mechanisms of the Redistribution of Carbon Contamination in Films Formed by Atomic Layer Deposition PDF
(Rus)
Fadeev A., Myakon’kikh A., Smirnova E., Simakin S., Rudenko K.
Volume 53, Nº 5 (2024) Electron transport and field electron emission mechanisms in 2D noncrystalline hetero structures with quantum barrier
Krasnikov G., Bokarev V., Teplov G., Yafarov R.
Volume 53, Nº 4 (2024) Al Islands on Si(111): Growth Temperature, Morphology and Strain PDF
(Rus)
Lomov A., Zakharov D., Tarasov M., Chekushkin A., Tatarintsev A., Vasiliev A.
Volume 54, Nº 4 (2025) MULTILAYER EPITAXIAL SILICON STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS GROWN BY SUBLIMATION MOLECULAR BEAM EPITAXI
Shengurov V., Titova A., Alyabina N., Chalkov V., Denisov S., Zdoroveyshchev A.
Volume 52, Nº 4 (2023) Multilevel Memristive Structures Based on YBa2Cu3O7–δ Epitaxial Films PDF
(Rus)
Tulina N., Rossolenko A., Borisenko I., Ivanov A.
Volume 54, Nº 2 (2025) Multilevel switchings in memristive structures based on oxidized lead selenide
Tulina N., Rossolenko A., Shmytko I., Borisenko I., Borisenko D., Kolesnikov N.
Volume 52, Nº 3 (2023) Simulation of the Adsorption and Diffusion of Lithium Atoms on Defective Graphene for a Li-Ion Battery PDF
(Rus)
Asadov M., Mammadova S., Huseynova S., Mustafaeva S., Lukichev V.
Volume 52, Nº 6 (2023) Simulation of vertical ballistic quantum-barrier field-effect transistor based on undoped AlxGa1–xAs quantum nanowire PDF
(Rus)
Pozdnyakov D., Borzdov A., Borzdov V.
Volume 52, Nº 5 (2023) Simulation of the Effect of Lattice Defects on the Work of Separating Joined Materials PDF
(Rus)
Makhviladze T., Sarychev M.
Volume 52, Nº 1 (2023) Simulation of Supercell Defect Structure and Transfer Phenomena in TlInTe2 PDF
(Rus)
Asadov M., Mustafaeva S., Guseinova S., Lukichev V.
Volume 53, Nº 2 (2024) Modeling the diffusion of atoms in multicomponent semiconductors in a disordered state PDF
(Rus)
Asadov S.
Volume 53, Nº 3 (2024) Simulation of silicon conical field effect GAA nanotransistors with stack SiO2/HfO2 dielectric of gate PDF
(Rus)
Masalsky N.
Volume 52, Nº 4 (2023) Simulation of Silicon FETs with a Fully Enclosed Gate with a High-k Gate Dielectric PDF
(Rus)
Masalskii N.
Volume 53, Nº 6 (2024) Simulation of Memristive Crossbar Array Electrical Behavior in Neuromorphic Electronic Blocks
Dudkin A., Ryndin E., Andreeva N.
Volume 54, Nº 4 (2025) Modeling of Self-Assembly of Microinductors Produced Due to Residual Mechanical Stress
Babushkin A., Selyukov R.
Volume 52, Nº 3 (2023) Simulation of a System of Nanoantennas Located in a TSV Channel as a System for Receiving and Transmitting Data PDF
(Rus)
Serov D., Khorin I.
Volume 53, Nº 6 (2024) Modeling of Structural Properties and Transport Phenomena in Doped Multicomponent 2D Semiconductors
Asadov S., Mustafaeva S., Mammadov A., Lukichev V.
Volume 53, Nº 1 (2024) Modeling of Physical-Chemical and Electronic Properties of Lithium-Containing 4H—SiC and Binary Phases of the Si—C–Li System PDF
(Rus)
Asadov M., Huseynova S., Mustafaeva S., Mammadova S., Lukichev V.
Volume 53, Nº 1 (2024) Modeling of the Electronic Properties of M-Doped Supercells (М = Zr, Nb) with a Monoclinic Structure For Lithium-Ion Batteries PDF
(Rus)
Asadov M., Mammadova S., Mustafaeva S., Huseynova S., Lukichev V.
Volume 53, Nº 1 (2024) Molecular Layering of an Additive Layer of Silicon Dioxide on Anodized Tantalum and Niobium Oxides PDF
(Rus)
Ezhovskii Y., Mikhailovskii S.
Volume 52, Nº 3 (2023) Surface Morphology and Photoluminescence Spectra of Pseudomorphic {InGaAs/GaAs} Superlattices on GaAs (100), (110), and (111)A Substrates PDF
(Rus)
Klimov E., Pushkarev S., Klochkov A., Mozhaeva M.
Volume 52, Nº 6 (2023) MEMS SWITCH BASED ON CANTILEVER WITH INCREASED CONTACT FORCE PDF
(Rus)
Belozerov I., Uvarov I.
Volume 54, Nº 3 (2025) NANOSTRUCTURED RUTHENIUM ETCHING IN THREE-COMPONENT Cl2/O2/Ar PLASMA
Amirov I., Izyumov M., Lopaev D., Rakhimova T., Kropotkin A., Voloshin D., Palov A.
Volume 53, Nº 5 (2024) Nanophotonic beam-splitter based on quantum dots with förster coupling
Tsukanov А., Kateev I.
Volume 52, Nº 5 (2023) Neuromorphic Systems: Devices, Architecture, and Algorithms PDF
(Rus)
Fetisenkova K., Rogozhin A.
Volume 53, Nº 5 (2024) New concept for the development of high-performance X-ray lithography
Chkhalo N.
Volume 53, Nº 2 (2024) The new approach of a simulation low dose rate radiation effects in bipolar integrated circuits PDF
(Rus)
Chumakov A.
Volume 52, Nº 5 (2023) The Influence of Small F2, H2, and HF Additives on the Concentration of Active Particles in Tetrafluoromethane Plasma PDF
(Rus)
Efremov A., Smirnov S., Betelin V.
Volume 54, Nº 4 (2025) Training of a Spiking Neural Network with a Consideration of Memristive Crossbar Array Characteristics
Dudkin A., Ryndin E., Andreeva N.
Volume 54, Nº 3 (2025) Reinforcement learning of spiking neural networks using trace variables for synaptic weights with memristive plasticity
Kulagin V., Matsukatova A., Rylkov V., Demin V.
Volume 52, Nº 4 (2023) Single Event Displacement Effects in a VLSI PDF
(Rus)
Chumakov A.
Volume 52, Nº 2 (2023) Oxide Memristors for ReRAM: Approaches, Characteristics, and Structures PDF
(Rus)
Isaev A., Permyakova O., Rogozhin A.
Volume 54, Nº 3 (2025) Features of upsets formation in VLSI under pulsed ionizing radiation
Chumakov A.
Volume 53, Nº 1 (2024) Features of Electroforming and Functioning of Memristors Based on Open TiN–SiO2–Mo Sandwich Structures PDF
(Rus)
Gorlachev E., Mordvintsev V., Kudryavtsev S.
Volume 52, Nº 1 (2023) Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 в плазме CF4/C4F8/Ar/He PDF
(Rus)
., .
Volume 53, Nº 1 (2024) Parameters and Composition of Plasma in a Mixture of CF4 + H2 + Ar: Effect of the CF4/H2 Ratio PDF
(Rus)
Miakonkikh A., Kuzmenko V., Efremov A., Rudenko K.
Volume 52, Nº 2 (2023) Plasma Parameters and Kinetics of Reactive Ion Etching of SiO2 and Si3N4 in an HBr/Cl2/Ar Mixture PDF
(Rus)
Efremov A., Betelin V., Kwon K.
Volume 53, Nº 6 (2024) Plasma Parameters and Si/SiO2 Etching Kinetics in Mixtures of Fluorocarbon Gases with Argon and Helium
Efremov A., Betelin V., Kwon K.
Volume 53, Nº 1 (2024) Electron Transport in a Bipolar Transistor with a Superlattice in the Emitter PDF
(Rus)
Golikov O., Zabavichev I., Ivanov A., Obolensky S., Obolenskaya E., Paveliev D., Potekhin A., Puzanov A., Tarasova E., Khazanova S.
Volume 54, Nº 4 (2025) Perspectives of electron-beam and ion-beam lithography development in Russia
Zaitsev S., Irzhak D., Il’in A., Knyazev M., Roshchupkin D., Grachev V., Kurbatov V., Malkov G.
Volume 52, Nº 3 (2023) Hydrogen Plasma under Conditions of Electron-Cyclotron Resonance in Microelectronics Technology PDF
(Rus)
Polushkin E., Nefed’ev S., Koval’chuk A., Soltanovich O., Shapoval S.
Volume 53, Nº 4 (2024) Plasmochemical and Reactive Ion Etching of Gallium Arsenide in Difluorodichloromethane with Helium PDF
(Rus)
Murin D., Chesnokov I., Gogulev I., Anokhin A., Moloskin A.
Volume 54, Nº 1 (2025) AZ nLOF series photoresist films on monocrystalline silicon
Brinkevich D., Grinyuk E., Prosolovich V., Zubova O., Kolos V., Brinkevich S., Vabishchevich S.
Volume 53, Nº 5 (2024) Producing of graphene: deposition and annealing
Shustin Е.
Volume 52, Nº 3 (2023) Precise Tomography of Qudits PDF
(Rus)
Bogdanov Y., Bogdanova N., Kuznetsov Y., Koksharov K., Lukichev V.
1 - 100 de 136 resultados 1 2 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».